[Чип-решение]: ESP32-S3
[Рабочая частота]: 2,4 ГГц
[Расстояние связи]: 200 м
[Протокол поддержки]: 802.11 b/g/n + BLE5
[Размер продукта]: 15,4*15,4*2,4 мм
[Введение]: ESP32-S3-MINI-1 — это универсальный двухъядерный беспроводной модуль Wi-Fi + Bluetooth с низким энергопотреблением, оснащенный чипом Espressif ESP32-S3. В дополнение к богатым периферийным интерфейсам, модуль также обладает мощными вычислительными возможностями нейронной сети и возможностями обработки сигналов и подходит для различных сценариев применения в области AIoT, таких как обнаружение слов пробуждения и распознавание голосовых команд, обнаружение и распознавание лиц, интеллектуальный дом, интеллектуальная бытовая техника, интеллектуальные панели управления, интеллектуальные колонки и т. д. Этот двухъядерный модуль Bluetooth WiFi использует встроенную антенну на печатной плате. Wi-Fi и Bluetooth сосуществуют и используют одну и ту же антенну.
Абсолютные максимальные значения
| Символ | Параметр | Мин.значение | Макс. ценить | Единица |
| ВДД33 | Напряжение на выводе питания | -0,3 | 3.6 | В |
| ТМАГАЗИН | температура хранения | -40 | 85 |
℃ |
Рекомендуемые условия работы
| Символ | Параметр | Мин.значение | Т'-пическое значение | Максимальное значение | Единица |
| ВДД33 | Напряжение на выводе питания | 3.0 | 3.3 | 3.6 | В |
| ИВДД | Подача тока от внешнего источника питания | 0,5 | - | А | |
| Т | Рекомендуемая рабочая температура | -40 | - | 85 | ℃ |
| Влажность | Влажность | - | 85 | - | % относительной влажности |
Электрические характеристики постоянного тока (3,3 В, 25 ℃)
| Символ | Параметр | Мин. ценить | Типичное значение | Макс, значение | Единица |
| КИН | Емкость контакта | - | 2 | - | пф |
| VIH | Входное напряжение высокого уровня | 0,75×ВДД¹ | - | ВДД¹+0,3 | В |
| ВИЛ | входное напряжение низкого уровня | -0,3 | - | 0,25×ВДД¹ | В |
| iih | Входной ток высокого уровня | - | - | 50 | нет данных |
| ИИЛ | Входной ток низкого уровня | - | - | 50 | нет данных |
| ВОХ2 | Выходное напряжение высокого уровня | 0,8×ВДД¹ | - | - | В |
| ТОМ2 | Выходное напряжение низкого уровня | - | - | 0,л×ВДД¹ | В |
| ИОХ | Ток источника высокого уровня (VDD¹== 3,3 В, VOH>= 2,64 В, PAD_DRIVER=3) | - | 40 | - | мА |
| ИОЛ | Низкий уровень тока стока (VDD¹=3,3 В,VOL= 0,495 В, PAD_DRIVER=3) | - | 28 | - | мА |
| РПУ | Внутренний слабый подтягивающий резистор | - | 45 | - | кК |
| РПД | Внутренний слабый понижающий резистор | - | 45 | - | кК |
| VIH_nRST | Напряжение сброса микросхемы (контакт EN должен соответствовать диапазону напряжений) | 0,75×ВДД¹ | - | ВДД¹+0,3 | В |
| VIL_nRST | Напряжение сброса чипа (контакт EN должен соответствовать диапазону напряжений) | -0,3 | - | 0,25×ВДД¹ | В |
